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TVV100

TVV100

  • 厂商:

    ASI

  • 封装:

  • 描述:

    TVV100 - NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

  • 详情介绍
  • 数据手册
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TVV100 数据手册
TVV100 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI TVV100 is Designed for Television Band III Applications up to 225 MHz. PACKAGE STYLE .400 8L FLG C D B A F U LL R G FEATURES: • Common Emitter • PG = 11 dB at 100 W/225 MHz • Omnigold™ Metalization System F E .19 25 .125 K O H 4 x .0 60 R I J N LM MAXIMUM RATINGS IC VCBO VCEO VEBO PDISS TJ TSTG θJC O O 16 A 65 V 33 V 3.5 V 150 W @ TC = 25 C -65 C to +200 C -65 C to +150 C 0.8 C/W O O O O D IM A B C D E F G H I J K L M N O M IN IM UM inche s / m m M A X IM U M inche s / m m .030 / 0.76 .115 / 2.92 .360 / 9.14 .065 / 1.65 .130 / 3.30 .380 / 9.65 .735 / 18 .6 7 .645 / 16 .3 8 .895 / 22 .7 3 .420 / 10 .6 7 .003 / 0.08 .120 / 3.05 .159 / 4.04 .395 / 10 .0 3 .390 / 9.91 .765 / 19 .4 3 .655 / 16 .6 4 .905 / 22 .9 9 .430 / 10 .9 2 .007 / 0.18 .130 / 3.30 .175 / 4.45 .280 / 7.11 .405 / 10 .2 9 .075 / 1.91 .125 / 3.18 ORDER CODE: ASI10662 O CHARACTERISTICS SYMBOL BVCBO BVCER BVCEO BVEBO hFE COB PG IC = 50 mA IC = 50 mA IC = 50 mA IE = 5.0 mA VCE = 5.0 V VCB = 28 V TC = 25 C NONETEST CONDITIONS RBE = 15 Ω MINIMUM TYPICAL MAXIMUM 65 60 33 3.5 UNITS V V V V IC = 500 mA f = 1.0 MHz IC = 2 X 100 mA f = 225 MHz 20 --11 60 150 --- --pF dB VCE = 28 V POUT = 100 W A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. A 1/1
TVV100
1. 物料型号:ASI TVV100 2. 器件简介:ASI TVV100是一款NPN硅射频功率晶体管,专为电视波段I应用设计,工作频率可达225 MHz。封装风格为400 8LFLG。 3. 引脚分配:PDF文档中提供了详细的引脚尺寸,每个引脚的最小和最大尺寸(英寸/毫米)。 - A: 0.030/0.76英寸、B: 0.115/2.92到0.125/3.18英寸、C: 3.60/9.14英寸、D: 0.065/1.65到0.075/1.91英寸、E: 1.30/3.30英寸、F: 3.80/9.65到3.90/9.91英寸、G: 0.735/18.67到0.765/19.43英寸、H: 0.645/16.38到0.655/16.64英寸、I: 8.95/22.73到9.05/22.99英寸、J: 4.20/10.67到4.30/10.92英寸、K: 0.003/0.08到0.007/0.18英寸、L: 1.20/3.05到1.30/3.30英寸、M: 1.59/4.04到1.75/4.45英寸、N: 2.80/7.11英寸、O: 3.95/10.03到4.05/10.29英寸。 4. 参数特性: - 最大工作电流(Ic):16A - 集电极-基极击穿电压(VCBO):65V - 集电极-发射极击穿电压(VCEO):33V - 基极-发射极击穿电压(VEBO):3.5V - 最大功率耗散(PpIss):150W @ T = 25°C - 工作温度范围(TJ):-65°C到+200°C - 存储温度范围(TSTG):-65°C到+150°C - 热阻(OJc):0.8°C/W 5. 功能详解:ASI TVV100具有共发射极配置,功率增益(P_G)在100W/225MHz时为11dB,采用Omnigold金属化系统。 6. 应用信息:适用于电视波段I应用,工作频率可达225 MHz。 7. 封装信息:400 8LFLG封装风格。
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