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UML1

UML1

  • 厂商:

    ASI

  • 封装:

  • 描述:

    UML1 - NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

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UML1 数据手册
UML1 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI UML1 is Designed for High Power Class C Amplifier, in 225 to 400 MHz Military Communication Equipment. PACKAGE STYLE .280 4L STUD A 45° FEATURES: • Class C Operation • PG = 13 dB at 1.0 W/400 MHz • Omnigold™ Metalization System B C E B D C J E MAXIMUM RATINGS IC VCBO VCEO VEBO PDISS TJ TSTG θJC 2.0 A 45 V 25 V 3.5 V 31.8 W @ TC = 25 °C -65 °C to +200 °C -65 °C to +150 °C 20 °C/W DIM A B C D E F G H I J K E F G H K MINIMUM inches / mm I #8-32 UNC MAXIMUM inches / mm 1.010 / 25.65 .220 / 5.59 .270 / 6.86 .003 / 0.08 .117 / 2.97 .572 / 14.53 .130 / 3.30 .245 / 6.22 .640 / 16.26 .175 / 4.45 .275 / 6.99 1.055 / 26.80 .230 /5.84 .285 / 7.24 .007 / 0.18 .137 / 3.48 .255 / 6.48 .217 / 5.51 .285 / 7.24 ORDER CODE: ASI10688 CHARACTERISTICS SYMBOL BVCBO BVCEO BVEBO ICBO hFE Cob PG ηD IC = 20 mA TC = 25 °C NONETEST CONDITIONS IC = 1.0 mA IE = 0.25 mA VCB = 28 V VCE = 5.0 V VCB = 28 V VCC = 28 V POUT = 1.0 W IC = 100 mA f = 1.0 MHz f = 400 MHz MINIMUM TYPICAL MAXIMUM 45 24 3.5 0.45 15 120 5.0 13 60 UNITS V V V mA --pF dB % A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. B 1/1
UML1
物料型号:ASI UML1

器件简介: ASI UML1是一款NPN硅射频功率晶体管,专为225至400MHz的高功率C类放大器设计,用于军事通信设备。封装风格为280 4L STUD。

引脚分配: - 引脚A:1.010英寸/25.65毫米至1.055英寸/26.80毫米 - 引脚B:2.20英寸/5.59毫米至2.30英寸/5.84毫米 - 引脚C:2.70英寸/6.86毫米至2.85英寸/7.24毫米 - 引脚D:0.003英寸/0.08毫米至0.007英寸/0.18毫米 - 引脚E:0.117英寸/2.97毫米至0.137英寸/3.48毫米 - 引脚F:0.572英寸/14.53毫米 - 引脚G:0.130英寸/3.30毫米 - 引脚H:2.45英寸/6.22毫米至2.55英寸/6.48毫米 - 引脚J:1.75英寸/4.45毫米至2.17英寸/5.51毫米 - 引脚K:2.75英寸/6.99毫米至2.85英寸/7.24毫米

参数特性: - 类C操作 - 在400MHz下,1W时功率增益\( P_G = 13 \)dB - OmnigoldTM金属化系统

功能详解: - 最大额定值包括: - 集电极电流(Ic):2.0A - 集电极-基极击穿电压(VCBO):45V - 集电极-发射极击穿电压(VCEO):25V - 基极-发射极击穿电压(VEBO):3.5V - 耗散功率(PDISs):31.8W @ Tc= 25°C - 工作结温(TJ):-65°C至+200°C - 存储结温(TSTG):-65°C至+150°C - 热阻(OJc):20°C/W

应用信息: 适用于225至400MHz的高功率C类放大器,特别是在军事通信设备中。

封装信息: - 订单代码:ASI10688 - 特性测试条件包括BVCBO、BVCEO、BVEBO、IcBO、hFE和Cob等参数,具体数值请参考PDF文档中提供的数据。

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