物料型号：
- AT49LD3200 或 AT49LD3200B SFlash™
器件简介：
AT49LD3200(B) SFlash™ 是由Atmel公司使用高性能CMOS工艺技术制造的同步、高带宽闪存，组织为2,097,152 x 16位（字模式）或1,048,576 x 32位（双字模式）。同步设计允许精确的周期控制，所有操作都与系统时钟的上升沿同步。
引脚分配：
- CLK：系统时钟
- CS：芯片选择
- CKE：时钟使能
- A0-A12：地址
- RAS：行地址选通
- CAS：列地址选通
- MR：模式寄存器设置
- DQ0-DQ31：数据输入/输出
- VCC/VSS：电源/地
- VCCQ/VSSQ：数据输出电源/地
- WORD：32/16模式选择
- DQM：数据输出掩码
- WE：写使能
- VPP：编程/擦除电源
参数特性：
- 工作电压：3.0V至3.6V
- 读/写操作：突发读取性能在不同频率下有不同的RAS延迟和CAS延迟
- 独立异步引导块：8K x 16位，具有硬件锁定功能
- 快速编程时间：3伏特下每字/双字典型100微秒，12伏特下每字/双字典型30微秒
- 快速扇区擦除时间：3伏特下2.5秒，12伏特下1.6秒
功能详解：
- 该设备支持多种操作频率和可编程突发长度，适用于各种高带宽、高性能存储系统应用。
- 设计用于与SDRAM一起在同步内存总线上运行。
- 提供高速12伏特编程和擦除选项，以及独立的异步引导块。
应用信息：
- 适用于需要高带宽和高性能存储系统的场合，如工业控制、汽车电子、通信设备等。
封装信息：
- 86引脚TSOP II型封装，带有偏移中心分割线（OCPL）以提高可靠性。
