M65608E

1. 物料型号：M65608E 2. 器件简介： - M65608E是一款低功耗CMOS静态RAM，组织为131072 x 8位。 - 该器件适用于需要快速计算和低功耗的应用场合，例如航空电子、便携式仪器或嵌入式系统。 - 采用六晶体管（6T）存储单元，M65608E结合了极低的待机供电电流（典型值为0.2μA）和在全军事温度范围内的快速访问时间30ns。 - M65608E根据MIL STD 883（B类或S类）的最新修订版、ESA SCC 9000或QML进行处理。

3. 引脚分配： - 32引脚DIL侧焊和32引脚扁包装，均为400mil宽度。

4. 参数特性： - 工作电压：5V - 访问时间：30ns、45ns - 极低功耗：活动状态250mW（典型值），待机状态1μW（典型值），数据保持0.5μW（典型值） - 宽温度范围：-55°C至+125°C - TTL兼容输入和输出 - 异步 - 单5V供电 - 等周期和访问时间 - 门控输入：无需上拉/下拉电阻

5. 功能详解： - M65608E以其极低的功耗和快速访问时间，适用于需要快速处理数据和保持低能耗的场景。它的设计使其在极端温度下也能稳定工作，适合于军事和航空航天应用。

6. 应用信息： - 适用于航空电子、便携式仪器、嵌入式系统等需要快速计算和低功耗的应用。

7. 封装信息： - 提供400mil宽度的FP32和SB32封装。