SB5311-HB

Semiconductor SB5311-H / SB5311-H(B) High Brightness LED Lamp Features • Colorless transparency lens type • φ5mm( T-1¾) all plastic mold type • High luminosity Outline Dimensions STRAIGHT TYPE 5.0±0.2 unit : STOPPER TYPE 5.0±0.2 mm 8.6±0.2 0.8±0.2 0.8±0.2 8.6±0.2 0.5 23.0 MIN 0.5 23.0 MIN 1.0MIN 2.54NOM 2.54NOM 1.0MIN 1 2 5.8±0.2 1 2 5.8±0.2 PIN Connections 1.Anode 2.Cathode KLB-0009-001 1 SB5311-H / SB5311-H(B) Absolute maximum ratings Characteristic Power Dissipation Forward Current * Peak Forward Current Reverse Voltage Operating Temperature Storage Temperature 2 1 Symbol PD IF IFP VR Topr Tstg Ratings 85 20 50 4 -25∼85 -30∼100 Unit mW mA mA V ℃ ℃ 260℃ for 5 seconds * Soldering Temperature Tsol *1.Duty ratio = 1/16, Pulse width = 0.1ms *2.Keep the distance more than 2.0mm from PCB to the bottom of LED package ※ Recommend document -. LED is very sensitive to ESD. Electrical Characteristics Characteristic Forward Voltage Luminous Intensity Peak Wavelength Spectrum Bandwidth Reverse Current Symbol VF IV Test Condition IF= 20mA IF= 20mA IF= 20mA IF= 20mA VR=4V IF= 20mA Min. 200 - Typ. 3.7 400 468 26 ±11 Max. 4.2 40 - Unit V mcd nm nm uA deg λP Δλ IR θ½ * Half angle 3 *3. θ1/2 is the off-axis angle where the luminous intensity is 1/2 the peak intensity KLB-0009-001 2 SB5311-H / SB5311-H(B) Characteristic Diagrams Fig. 1 IF - VF Fig. 2 IV - IF Luminous Intensity Iv [mcd] Forward Current IF [mA] Forward Voltage VF [V] Forward Current IF [mA] Fig. 3 IF – Ta Fig.4 Spectrum Distribution Current IF [mA] Forward Relative Intensity [%] Ambient Temperature Ta [℃] Wavelength λ [nm] Fig. 5 Radiation Diagram Relative Luminous Intensity Iv [%] KLB-0009-001 3 ■ 정전기 관련에 따른 제품 사용상 주의 사항 1. ESD(Electro Static Discharge) 주의 : 되어 있어 Chip 재질은 Al2o3 (Sapphire: 절연체) 재질로 정전기에 취약한 재질이며 Chip이 정전기에 의해 Damage가 가해지면 제 특성을 발휘하지 못하며 또한 VF값이 현저히 Down 되면서 무 점등 현상 발생 2. ESD 발생 원리 및 대치 방법 2-1. ESD (Electro Static Discharge) 발생 원리 : 물질 구조의 분자설에 의하면 모든 물체는(+)로 대전 된 원자핵과 그 주위를 도는 (-)로 대전 된 전자로 구성되어 중성의 상태를 위지하게 되지만 외부의 조건( 마찰, 압력, 온도, 습도 등)에 의하여 중성 상태의 물질이(-)전하를 잃어 버리게 되면 (+)전하로 대전 되고 (+)양자를 잃게 되면 (-)로 대전하게 됨. ※ 대전의 원인 : 접촉, 박리, 마찰, 충돌, 변형, 이온흡착 등 ※ 대전의 크기 결정 요인 : 접촉 면적, 압력, 마찰 빈도, 속도, 온도차등 ※ 대전의 극성 결정 요인 : 물질의 종류, 표면 상태. 이력 등 2-2. 대전 방지 및 제거 방법 ① 가습 -. 가습에 의한 공기의 상대 습도를 높이면 물체 표면의 흡수량을 증가 시켜 표면 저항율을 저하시킴으로 물체는 대전성이 떨어진다. 상대 습도는 80%가 적당하다. ※ 습도에 따른 대전전위의 변화 대 전물 상대습도 (10%~20%) 상대습도(65%~90%) Table 작업을 행하는 경우 6[KV] 0.1[KV] 비닐 포장 자재 7[KV] 0.6[KV] 폴리백을 작업대에서 손으로 드는 경우 20[KV] 1.2[KV] ② 대전 방지제 사용 -. 대전 방지제는 절연물의 표면에 도포하거나 혼입하여 표면에 흡수성을 증가 시킴으로 표면 저항을 저하시켜 대전을 방지하는 방법으로 제품에의 영향을 고려 ③ 대전 방지용품 착용 -. 인체를 접지 시켜 주거나 대전을 방지 시켜 주는 제품 : Wrist Strap (손목 띠), Heel Grounder, 대전 방지복, 제전화, 제전 장갑, 제전모 등 -. Conveyer 또는 통로의 바닥이나 Table 등에 설치하여 대전을 안전하게 접지 시키는 제품 : Conductive Floor Mat ※ 현 제품 취급 시 주의 사항을 인지하시고 ESD에 주의하여 작업을 하시면 정전기로 인한 불량 발생율을 감소 시킬 수 있습니다. KLB-0009-001 4