SB5312-H

Semiconductor SB5312-H / SB5312-H(B) High Brightness LED Lamp Features • Colorless transparency lens type • φ5mm(T-13/4) all plastic mold type • High luminosity Outline Dimensions STRAIGHT TYPE STOPPER TYPE unit : mm 4.8±0.2 4.8±0.2 9.0±0.2 9.0±0.2 1.2± 0.2 1.2± 0.2 3.8±0.5 0.5 23.0 MIN 0.5 23.0 MIN 1.0 MIN 2.54 NOM 1.0 MIN 2.54 NOM 1 2 5.8±0.2 1 2 5.8±0.2 PIN Connections 1.Anode 2.Cathode KLB-0005-000 1 SB5312-H / SB5312-H(B) Absolute maximum ratings Characteristic Power Dissipation Forward Current * Peak Forward Current Reverse Voltage Operating Temperature Storage Temperature 2 1 Symbol PD IF IFP VR Topr Tstg Ratings 85 20 50 4 -25∼85 -30∼100 Unit mW mA mA V ℃ ℃ 260℃ for 5 seconds * Soldering Temperature Tsol *1.Duty ratio = 1/16, Pulse width = 0.1ms *2.Keep the distance more than 2.0mm from PCB to the bottom of LED package Electrical Characteristics Characteristic Forward Voltage Luminous Intensity Peak Wavelength Spectrum Bandwidth Reverse Current Symbol VF IV Test Condition IF= 10mA IF= 10mA IF= 10mA IF= 10mA VR=4V IF= 10mA Min. 300 - Typ. 3.4 700 468 26 ±8 Max. 4.0 10 - Unit V mcd nm nm uA deg λP Δλ IR θ1/2 * Half angle 3 *3. θ1/2 is the off-axis angle where the luminous intensity is 1/2 the peak intensity KLB-0005-000 2 SB5312-H / SB5312-H(B) Characteristic Diagrams Fig. 1 IF - VF Fig. 2 IV - IF Forward Voltage VF [V] Luminous Intensity Iv [mcd] Forward Current IF [mA] Forward Current IF [mA] Fig. 3 IF – Ta Fig.4 Spectrum Distribution Current IF [mA] Forward Ambient Temperature Ta [℃] Relative Intensity [%] Wavelength λ [nm] Fig. 5 Radiation Diagram Relative Luminous Intensity Iv [%] KLB-0005-000 3 ■ 정전기 관련에 따른 제품 사용상 주의 사항 1. ESD(Electro Static Discharge) 주의 : 되어 있어 Chip 재질은 Al2o3 (Sapphire: 절연체) 재질로 정전기에 취약한 재질이며 Chip이 정전기에 의해 Damage가 가해지면 제 특성을 발휘하지 못하며 또한 VF값이 현저히 Down 되면서 무 점등 현상 발생 2. ESD 발생 원리 및 대치 방법 2-1. ESD (Electro Static Discharge) 발생 원리 : 물질 구조의 분자설에 의하면 모든 물체는(+)로 대전 된 원자핵과 그 주위를 도는 (-)로 대전 된 전자로 구성되어 중성의 상태를 위지하게 되지만 외부의 조건( 마찰, 압력, 온도, 습도 등)에 의하여 중성 상태의 물질이(-)전하를 잃어 버리게 되면 (+)전하로 대전 되고 (+)양자를 잃게 되면 (-)로 대전하게 됨. ※ 대전의 원인 : 접촉, 박리, 마찰, 충돌, 변형, 이온흡착 등 ※ 대전의 크기 결정 요인 : 접촉 면적, 압력, 마찰 빈도, 속도, 온도차등 ※ 대전의 극성 결정 요인 : 물질의 종류, 표면 상태. 이력 등 2-2. 대전 방지 및 제거 방법 ① 가습 -. 가습에 의한 공기의 상대 습도를 높이면 물체 표면의 흡수량을 증가 시켜 표면 저항율을 저하시킴으로 물체는 대전성이 떨어진다. 상대 습도는 80%가 적당하다. ※ 습도에 따른 대전전위의 변화 대 전물 상대습도 (10%~20%) 상대습도(65%~90%) Table 작업을 행하는 경우 6[KV] 0.1[KV] 비닐 포장 자재 7[KV] 0.6[KV] 폴리백을 작업대에서 손으로 드는 경우 20[KV] 1.2[KV] ② 대전 방지제 사용 -. 대전 방지제는 절연물의 표면에 도포하거나 혼입하여 표면에 흡수성을 증가 시킴으로 표면 저항을 저하시켜 대전을 방지하는 방법으로 제품에의 영향을 고려 ③ 대전 방지용품 착용 -. 인체를 접지 시켜 주거나 대전을 방지 시켜 주는 제품 : Wrist Strap (손목 띠), Heel Grounder, 대전 방지복, 제전화, 제전 장갑, 제전모 등 -. Conveyer 또는 통로의 바닥이나 Table 등에 설치하여 대전을 안전하게 접지 시키는 제품 : Conductive Floor Mat ※ 현 제품 취급 시 주의 사항을 인지하시고 ESD에 주의하여 작업을 하시면 정전기로 인한 불량 발생율을 감소 시킬 수 있습니다. KLB-0005-000 4