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SDB310WMU

SDB310WMU

  • 厂商:

    AUK(光电子)

  • 封装:

  • 描述:

    SDB310WMU - Schottky Barrier Diode - AUK corp

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
SDB310WMU 数据手册
Semiconductor SDB310WMU Schottky Barrier Diode Features • Low power rectified • Silicon epitaxial type • High reliability Ordering Information Type No. SDB310WMU Marking DB3 Package Code SOT-323 Outline Dimensions 2.1±0.1 1.25±0.05 unit : mm 1 1.30±0.1 2.0±0.2 3 2 0.30±0.1 3 0.15±0.05 1 2 0.90±0.1 0.1 Min. 0~0.1 PIN Connections 1. Anode 2. Cathode 3. Cathode, Anode KSD-3033-000 1 SDB310WMU Absolute maximum ratings Characteristic Reverse voltage Repetitive peak forward current Forward current Non-repetitive peak forward current(10ms) Power dissipation Junction temperature Storage temperature Ta=25°C Symbol VR IFRM* IF IFSM PD Tj Tstg Ratings 30 0.5 0.2 2 150 150 -55 ~ 150 Unit V A A A mW °C °C * : δ = D/T =0.33 (T
SDB310WMU
物料型号: - 型号编号:SDB310WMU - 封装代码:SOT-323

器件简介: - 该器件为肖特基势垒二极管,具有低功耗整流、硅外延型和高可靠性的特点。

引脚分配: - 1. 阳极(Anode) - 2. 阴极(Cathode) - 3. 阴极、阳极(Cathode, Anode)

参数特性: - 反向电压(VB):30V - 重复峰值正向电流(IFRM):0.5A - 正向电流(IF):0.2A - 非重复峰值正向电流(IFSM,10ms):2A - 功率耗散(Pp):150mW - 结温(T):150℃ - 存储温度(Tstg):-55℃至150℃

功能详解: - 正向电压(VF): - VF(1):在电流为10mA时,典型值为0.4V - VF(2):在电流为30mA时,典型值为0.5V - 反向电流(IR):在反向电压为30V时,最大值为1A - 总电容(CT):在反向电压为1V,频率为1MHz时,最大值为10pF - 反向恢复时间(trr):在正向电流为10mA,反向电流为10mA,负载电阻为100欧姆时,最大值为5ns

应用信息: - 这些AUK产品适用于一般电子设备(办公和通信设备、测量设备、家用电器等)。在需要高质量和/或可靠性的设备中使用这些AUK产品,以及在对人类生命福利有重大影响的设备中(如原子能控制、飞机、宇宙飞船、交通信号、燃烧中心、各种安全设备等),请在使用前与AUK协商。未经与AUK协商,AUK不承担因在上述设备中使用这些AUK产品而可能发生的任何损害。

封装信息: - 封装类型:SOT-323 - 外形尺寸图已提供,具体数值请参考原图。
SDB310WMU 价格&库存

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