Semiconductor
SHE145PGHE(B)
Oval Type High Efficiency LED Lamp
Features
• • • • • • • Green Colored diffusion lens type Ellipse type(X=4.6mm, Y=5.8mm) Ultra luminosity Flangeless package High power LEDs Oval shape View Angle : 70˚ / 34˚
• E ; ESD Protected (±2.0KV, 3 times @100pF, 1.5KΩ)
Application
• Full color displays • Message boards • Variable message signs(VMS)
Outline Dimensions
unit : mm
4.40 ~ 4.80
5.50~6.00
7.50 ~ 7.90
1.20 Min.
3.10~4.10
1.27 Typ.
0.55 Max. 22.00 Min.
1.00 Min. 2.54 Typ.
0.55 Max.
PIN Connections 1. Anode 2. Cathode
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SHE145PGHE(B)
Absolute Maximum Ratings
Characteristic
Power dissipation Forward current * Peak forward current Operating temperature range Storage temperature range
2 1
(Ta=25oC)
Symbol
PD IF IFP Topr Tstg
Rating
150 40 65 -30∼85 -30∼100
Unit
mW mA mA ℃ ℃
* Soldering temperature Tsol 260℃ for 10 seconds *1.Duty ratio = 1/16, Pulse width = 0.1ms *2.Keep the distance more than 2.0mm from PCB to the bottom of LED package
※ Recommend document -. LED is very sensitive to ESD.
Electrical / Optical Characteristics
Characteristic
Forward voltage *4Luminous intensity Dominant wavelength Spectrum bandwidth *3Half angle
(Ta=25oC)
Symbol
VF IV
Test Condition
IF= 20mA IF= 20mA IF= 20mA IF= 20mA
Min. Typ. Max.
780 515 3.2 522 30 ±17 ±35 3.8 2640 530 -
Unit
V mcd nm nm deg
λD ∆λ
θ1/2 X Y
IF= 20mA
*3. θ1/2 is the off-axis angle where the luminous intensity is 1/2 the peak intensity *4. Luminous intensity maximum tolerance for each grade classification limit is ±18%
*4. Luminous Intensity Classification Q 780~1170 R1 1170~1450 R2 1450~1760 S1 1760~2100 S2 2100~2640
(Do not use to combine grade classification. It must be used separately grade classification)
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Characteristic Diagrams
Fig. 1 IF - VF Fig. 2 IV - IF
Luminous Intensity Iv [mcd]
Forward Current IF [mA]
Forward Voltage VF [V]
Forward
Current IF [mA]
Fig. 3 IF – Ta
Fig.4 Spectrum Distribution
Current IF [mA]
Forward
Relative Intensity [%]
Ambient Temperature Ta [℃]
Wavelength λ [nm]
Fig. 5-1 Radiation Diagram(X)
Fig. 5-2 Radiation Diagram(Y)
Relative Luminous Intensity Iv [%]
Relative Luminous Intensity Iv [%]
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■ 정전기 관련에 따른 제품 사용상 주의 사항
1. ESD(Electro Static Discharge) 주의 : Chip 재질은 Al2o3 (Sapphire: 절연체) 재질로 되어 있어 정전기에 취약한 재질이며 Chip이 정전기에 의해 Damage가 가해지면 제 특성을 발휘하지 못하며 또한 VF값이 현저히 Down 되면서 무 점등 현상 발생 2. ESD 발생 원리 및 대치 방법 2-1. ESD (Electro Static Discharge) 발생 원리 : 물질 구조의 분자설에 의하면 모든 물체는(+)로 대전 된 원자핵과 그 주위를 도는 (-)로 대전 된 전자로 구성되어 중성의 상태를 유지하게 되지만 외부의 조건( 마찰, 압력, 온도, 습도 등)에 의하여 중성 상태의 물질이(-)전하를 잃어 버리게 되면 (+)전하로 대전 되고 (+)양자를 잃게 되면 (-)로 대전하게 됨. ※ 대전의 원인 : 접촉, 박리, 마찰, 충돌, 변형, 이온흡착 등 ※ 대전의 크기 결정 요인 : 접촉 면적, 압력, 마찰 빈도, 속도, 온도차등 ※ 대전의 극성 결정 요인 : 물질의 종류, 표면 상태. 이력 등 2-2. 대전 방지 및 제거 방법 ① 가습 -. 가습에 의한 공기의 상대 습도를 높이면 물체 표면의 흡수량을 증가 시켜 표면 저항율을 저하시킴으로 물체는 대전성이 떨어진다. 상대 습도는 80%가 적당하다. ※ 습도에 따른 대전전위의 변화
대 전물 상대습도 (10%~20%) 상대습도(65%~90%) Table 작업을 행하는 경우 6[KV] 0.1[KV] 비닐 포장 자재 7[KV] 0.6[KV] 폴리백을 작업대에서 손으로 드는 경우 20[KV] 1.2[KV]
② 대전 방지제 사용 -. 대전 방지제는 절연물의 표면에 도포하거나 혼입하여 표면에 흡수성을 증가 시킴으로 표면 저항을 저하시켜 대전을 방지하는 방법으로 제품에의 영향을 고려 ③ 대전 방지용품 착용 -. 인체를 접지 시켜 주거나 대전을 방지 시켜 주는 제품 : Wrist Strap (손목 띠), Heel Grounder, 대전 방지복, 제전화, 제전 장갑, 제전모 등 -. Conveyer 또는 통로의 바닥이나 Table 등에 설치하여 대전을 안전하게 접지 시키는 제품 : Conductive Floor Mat ※ 현 제품 취급 시 주의 사항을 인지하시고 ESD에 주의하여 작업을 하시면 정전기로 인한
불량 발생율을 감소 시킬 수 있습니다.
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