物料型号:
- SI5312-H/SI5312-H(B)
器件简介:
- 该器件为无色透明透镜型φ5mm(T-13/4)全塑封型,具有低功耗和高辐射强度的特点。
引脚分配:
- 1. 阳极(Anode)
- 2. 阴极(Cathode)
参数特性:
- 最大功耗:145mW
- 正向电流:100mA
- 峰值正向电流:1A(注:占空比为1/16,脉宽为0.1ms)
- 反向电压:4V
- 工作温度范围:-25~85°C
- 存储温度范围:-30~100°C
- 焊接温度:260°C持续10秒
功能详解:
- 正向电压:在50mA电流下,范围为1.3V至1.45V
- 辐射强度:在50mA电流下,最小为30mW/Sr,典型值为70mW/Sr
- 峰值波长:950nm
- 光谱带宽:50nm
- 反向电流:在4V反向电压下,小于10uA
- 半角(θ1/2):+8°(注:θ1/2是光强为峰值一半的离轴角)
应用信息:
- 适用于红外遥控和自由空气传输系统,特别是与PIN光电二极管或光电晶体管结合使用时,要求低正向电压和舒适的辐射角。
封装信息:
- 提供直插式和带止挡型(B)两种封装类型,具体尺寸见图示。