AS4SD2M32DGX-6XT

厂商：
AUSTIN
封装：
描述：
AS4SD2M32DGX-6XT - 512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM - Austin Semiconductor

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SDRAM S DRAM Austin Semiconductor, Inc. 512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM FEATURES • Full Military temp (-55°C to 125°C) processing available • Configuration: 512K x 32 x 4 banks • Fully synchronous; all signals registered on positive edge of system clock • Internal pipelined operation; column address can be changed every clock cycle • Internal banks for hiding row access/precharge • Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8 or full page • Auto Precharge, includes CONCURRENT AUTO PRECHARGE and Auto Refresh Modes • Self Refresh Mode (IT & ET) • 64ms, 4,096 cycle refresh (IT & ET) •

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AS4SD2M32DGX-6XT

### 物料型号 - 型号：AS4SD2M32 - 速度等级：包括6IT（166MHz）、7IT（143MHz）、75IT（133MHz）等，每种速度等级都有Industrial、Enhanced和Extended三种温度范围版本。 - 封装：TSOPII-86LD

### 器件简介 AS4SD2M32是一款64Mb的SDRAM，内部配置为四银行DRAM，具有同步接口。每个16,777,216位的银行组织为2,048行x 256列x 32位。该SDRAM支持突发读取或写入操作，具有可编程的读取或写入突发长度，并提供自动预充电功能。

### 引脚分配 - CLK：时钟输入，由系统时钟驱动。 - CKE：时钟使能，激活（高）和关闭（低）时钟信号。 - DQ0-DQ31：数据输入/输出总线。 - VDD/VDDQ：供电，+3.3V ±0.3V。 - Vss/VssQ：接地。

### 参数特性 - 存储容量：67,108,864位。 - 组织：2,048行x 256列x 32位。 - 突发长度：可编程，1、2、4或8个位置，或整个页面。 - 突发类型：顺序或交错。 - CAS延迟：2或3。

### 功能详解 - 该SDRAM使用内部流水线架构实现高速操作，兼容2n预取架构。 - 支持自动刷新模式和省电的电源下降模式。 - 所有输入和输出都是LVTTL兼容的。

### 应用信息 适用于需要高速突发数据传输和高数据率的3.3V内存系统应用。

### 封装信息 - 封装类型：Plastic TSOP(1-Type ll)。 - 引脚数量：54或86。

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