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AS4SD32M16

AS4SD32M16

  • 厂商:

    AUSTIN

  • 封装:

  • 描述:

    AS4SD32M16 - 512Mb: 32 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory - Austin Semiconductor

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
AS4SD32M16 数据手册
SDRAM S DRAM Austin Semiconductor, Inc. 512Mb: 32 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory FEATURES • Full Military temp (-55°C to 125°C) processing available • Configuration: 32 Meg x 16 (8 Meg x 16 x 4 banks) • Fully synchronous; all signals registered on positive edge of system clock • Internal pipelined operation; column address can be changed every clock cycle • Internal banks for hiding row access/precharge • Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8 or full page • Auto Precharge, includes CONCURRENT AUTO PRECHARGE and Auto Refresh Modes • Self Refresh Mode (IT) • 64ms, 8,192-cycle refresh (IT) •
AS4SD32M16
1. 物料型号: - 型号为AS4SD32M16,由Austin Semiconductor, Inc.生产。

2. 器件简介: - 该器件是一款512Mb的SDRAM(同步动态随机存取存储器),内部配置为四银行DRAM,具有同步接口。每个67108864位的银行组织为8192行x1024列x16位。

3. 引脚分配: - 器件使用54引脚TSOP封装,具体引脚功能包括时钟(CLK)、钟控使能(CKE)、芯片选择(CS)、写使能(WE)、行列地址(A0-A12, BA0, BA1)等。

4. 参数特性: - 工作温度范围:提供工业温范围(-40°C至+85°C)、增强温范围(-45°C至+105°C)和军事温范围(-55°C至+125°C)。 - 供电电压:单+3.3V±0.3V电源供电。 - 刷新周期:8192行刷新周期为64ms(IT和XT),24ms(XT)。

5. 功能详解: - 支持突发读取和写入,可编程突发长度(1, 2, 4, 8或全页)。 - 支持自动预充电、自刷新模式和64ms的8192周期刷新。 - 支持LVTTL兼容的输入和输出。

6. 应用信息: - 适用于需要高速数据突发和高数据率的应用,如计算机内存、图形处理等。

7. 封装信息: - 采用TSOP II-54封装,具体尺寸和引脚排列详见PDF文档中的机械定义部分。
AS4SD32M16 价格&库存

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