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AS8F1M32

AS8F1M32

  • 厂商:

    AUSTIN

  • 封装:

  • 描述:

    AS8F1M32 - 1M x 32 FLASH FLASH MEMORY MODULE - Austin Semiconductor

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
AS8F1M32 数据手册
AUSTIN SEMICONDUCTOR, INC. Austin Semiconductor, Inc. 1M x 32 FLASH FLASH MEMORY MODULE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS • Military Processing (MIL-PRF-38534, para 1.2) • Temperature Range -55oC to 125oC AS8F1M32 FLASH FIGURE 1: PIN ASSIGNMENT (Top View) 68 Lead CQFP RESET\ A0 A1 A2 A3 A4 A5 CS3\ GND CS4\ WE1\ A6 A7 A8 A9 A10 VCC 08 07 06 05 02 01 67 65 09 04 03 68 66 64 63 62 I/O0 I/O1 I/02 I/O3 I/O4 I/O5 I/O6 I/O7 GND I/O8 I/O9 I/O10 I/O11 I/012 I/O13 I/O14 I/O15 61 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 60 59 78 57 76 55 54 53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 I/O16 I/O17 I/O18 I/O19 I/O20 I/O21 I/O22 I/O23 GND I/O24 I/O25 I/O26 I/O27 I/O28 I/O29 I/O30 I/O31 FEATURES • Fast access times of 90ns, 120ns, and 150ns • 5.0V ±10%, single power supply operation • Low power consumption typical: 4µA typical CMOS stand-by * ICC(active)
AS8F1M32
1. 物料型号: - AS8F1M32

2. 器件简介: - AS8F1M32是Austin Semiconductor, Inc.生产的1M x 32位闪存存储器。它设计为在系统内使用标准的5.0V供电进行编程。该设备提供了90ns的访问时间,允许高速微处理器无需等待状态即可操作。

3. 引脚分配: - 1/O0-31:数据输入/输出 - A0-19:地址输入 - WE\1-4:写使能 - CS\1-4:芯片选择 - OE\:输出使能 - Vcc:电源 - GND:地 - RESET\:复位

4. 参数特性: - 工作电压:5.0V ±10%,单电源操作 - 典型待机功耗:4µA - 数据保持时间:20年 - 编程/擦除周期:1,000,000次 - 扇区数量:16个,每个64Kbytes - 支持全芯片擦除 - 兼容JEDEC标准 - 内置擦除和编程算法 - 数据轮询和翻转位用于检测编程或擦除周期完成 - 擦除暂停/恢复功能 - 硬件复位引脚(RESET\) - 内置去耦电容和多个地引脚,用于低噪声操作 - 分开的电源和地平面,提高抗噪性

5. 功能详解: - 扇区擦除架构允许擦除和重新编程存储器扇区,不影响其他扇区的数据内容。 - 硬件数据保护措施包括低VCC检测器,在电源转换期间自动禁止写操作。 - 硬件扇区保护功能通过编程设备,禁用内存扇区的编程和擦除操作。 - 擦除暂停功能允许用户暂停擦除,以读取或编程未被选中擦除的任何扇区。 - 硬件RESET\引脚终止任何进行中的操作并重置内部状态机,以便读取阵列数据。 - 系统可以将设备置于待机模式,大幅降低功耗。

6. 应用信息: - 该产品可用于需要非易失性存储器的系统,如固件存储、数据记录等。

7. 封装信息: - 封装类型为陶瓷四平封装(CQFP),尺寸为0.88平方英寸,最小支架高度为0.035英寸。
AS8F1M32 价格&库存

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