物料型号：
- 型号：MMBT2222ALT1
器件简介：
- MMBT2222ALT1是一个NPN型晶体管，具有以下特点：
- 表面贴装技术（SOT-23封装）
- 适用于广泛的功率耗散范围
引脚分配：
- 1. BASE（基极）
- 2. EMITTER（发射极）
- 3. COLLECTOR（集电极）
参数特性：
- 最大功耗（PcM）：0.3W（环境温度25°C）
- 最大集电极电流（IcM）：0.6A
- 集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）：75V
功能详解：
- 工作温度范围：-55°C至+150°C
- 电气特性（环境温度25°C，除非另有说明）：
- 集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）：75V
- 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：40V
- 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：6V
- 集电极截止电流（IcBO）：最大0.1μA
- 发射极截止电流（IEBO）：最大0.1μA
- DC电流增益（HFE）：最小100（Ic=150mA时），最小50（Ic=1mA时）
- 集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）：最大0.6V（Ic=500mA时）
- 基极-发射极饱和电压（VBe(sat)）：最大1.2V（Ic=500mA时）
- 转换频率（fT）：300MHz（Vce=20V，Ic=20mA时）
应用信息：
- 该晶体管适用于需要NPN型晶体管的各种应用，如放大器、开关等。
封装信息：
- 封装类型：SOT-23
- 封装尺寸：单位为毫米，具体尺寸未在文档中提供。
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