MMBT2907ALT1

厂商：
AVICTEK
封装：
描述：
MMBT2907ALT1 - SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors - Avic Technology

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@vic MMBT2907ALT1 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT2907ALT1 FEATURES Power dissipation PCM: 0.3 TRANSISTOR (PNP) SOT-23 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR W (Tamb=25℃) 1. 0 2. 4 1. 3 0. 95 Collector current -0.6 A ICM: Collector-base voltage -60 V V(BR)CBO: Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO ICEO IEBO hFE(1) DC current gain hFE(2) Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage VCE(sat) VBE(sat) VCE=-10V, IC= -1mA IC=-500mA, IB=-50 mA IC= -500mA, IB=-50 mA VCE=-20V, IC= -50mA Transition frequency 2. 9 1. 9 0. 95 Unit: mm unless otherwise specified) Test conditions MIN -60 -60 -5 -0.1 -0.1 -0.1 100 50 -1 -2 V V 300 TYP MAX UNIT V V V µA µA µA Ic= -10µA , IE=0 IC= -10 mA , IB=0 IE= -10µA, IC=0 VCB= -50V, IE=0 VCB= -3V, IB=0 VEB= -3V, IC=0 VCE=-10V, IC= -150mA fT f = 100MHz 200 0. 4 MHz DEVICE MARKING: MMBT2907ALT1 =2F Copyright @vic Electronics Corp. Website http://www.avictek.com

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MMBT2907ALT1

1. 物料型号： - 型号为MMBT2907ALT1。

2. 器件简介： - MMBT2907ALT1是一款PNP型晶体管，封装为SOT-23。

3. 引脚分配： - 1. Base（基极） - 2. Emitter（发射极） - 3. Collector（集电极）

4. 参数特性： - 最大功耗：0.3W（环境温度25°C） - 最大集电极电流：-0.6A - 集电极-基极击穿电压：-60V

5. 功能详解： - 工作和存储结温范围：-55°C至+150°C - 电气特性包括集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压和转换频率等。

6. 应用信息： - 该晶体管适用于一般晶体管应用，具体应用场景需根据其电气特性和功率特性来确定。

7. 封装信息： - 封装类型为SOT-23，这是一种小外形晶体管封装。

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