F721C686MRC

物料型号：F72/F75系列 器件简介：这些电容器是京瓷集团生产的低剖面、高电容值(CV)的共形涂层芯片电容器，符合RoHS3指令2015/863/EU，是无铅兼容组件。 引脚分配：文档中没有提供具体的引脚分配信息，但提到了双面电极和单面电极的配置。 参数特性： - 工作温度范围：-55至+125°C - 额定温度：+85°C - 电容公差：±20%或±10%（120Hz时） - 损耗因子：详见下一页 - 100kHz时的等效串联电阻(ESR)：详见下一页 - 漏电流：在额定电压下1分钟后，20°C时不超过0.01CV或0.5A（取较大者）；85°C时不超过0.1CV或5uA（取较大者）；125°C时不超过0.125CV或6.3pA（取较大者） - 温度变化下的电容变化：+125°C时最大+15%，+85°C时最大+10%，-55°C时最大-10% 功能详解：适用于智能手机、移动电话、无线模块、助听器等应用。 应用信息：文档中提到了这些电容器适用于智能手机、移动电话、无线模块和助听器等设备。 封装信息：提供了详细的封装尺寸信息，包括F72和F75系列的尺寸，以及它们的公制和英制尺寸。