1. 物料型号：Hi-Q® High RF Power MLC表面贴装电容器，由AVX Corporation生产，适用于600V至7200V的应用。
2. 器件简介：这些电容器以超低的ESR（等效串联电阻）和在高频下的耗散因子为特点，设计用于在射频功率放大器、感应加热、高磁场环境（MRI线圈）、医疗和工业电子设备中处理高功率和高电压水平。
3. 引脚分配：文档中提供了两种型号HQCC和HQCE的尺寸信息，包括长度、宽度和厚度，以及端点尺寸。
4. 参数特性：
- 电容范围：3.3pF至6,800pF（25°C，1.0 0.2 Vrms在1kHz下，对于大于1000 pF使用1MHz）
- 电容公差：±0.25pF, 0.50pF, ±1%, ±2%, ±5%, ±10%, ±20%
- 25°C下的耗散因子：最大0.1%（+25°C，1.00.2 Vrms在1kHz下，对于大于1000 pF使用1MHz）
- 工作温度范围：-55°C至+125°C
- 温度特性：C0G: 0 30 ppm/°C(-55°C至+125°C)
- 电压等级：600, 630, 1000, 1500, 2000, 2500, 3000, 4000, 5000, 7200VDC
- 绝缘电阻：在+25°C和500VDC下最小100K MΩ，在+125°C和500VDC下最小10K MΩ
- 介质强度：最低额定WVDC的120%
5. 功能详解：电容器具有高射频功率特性，适用于高功率放大器等应用，具有低ESR和DF，能够在高磁场环境中稳定工作。
6. 应用信息：适用于射频功率放大器、感应加热、高磁场环境（如MRI线圈）、医疗和工业电子设备。
7. 封装信息：提供了两种封装样式HQCC和HQCE的尺寸数据，包括长度、宽度和厚度，以及端点尺寸。
