1. 物料型号：
- 型号为Hi-Q® High RF Power MLC表面贴装电容器，由AVX公司生产，适用于600V至7200V的应用。
2. 器件简介：
- Hi-Q®电容器以其超低的ESR（等效串联电阻）和在高频下的耗散因子为特点，设计用于处理高功率和高电压水平，适用于RF功率放大器、感应加热、高磁场环境（MRI线圈）、医疗和工业电子设备。
3. 引脚分配：
- 文档中提供了两种型号（STYLE）：HQCC和HQCE，包括长度、宽度、厚度和端头尺寸的具体数值。
4. 参数特性：
- 电容范围：3.3pF至6800pF。
- 电容公差：±0.25pF、0.50pF、±1%、±2%、±5%、±10%、±20%。
- 25°C下的耗散因子：最大0.1%。
- 工作温度范围：-55°C至+125°C。
- 温度特性：C0G：0至30ppm/°C（-55°C至+125°C）。
- 电压等级：600、630、1000、1500、2000、2500、3000、4000、5000、7200VDC。
- 绝缘电阻：在+25°C和500VDC下最小100K MΩ，在+125°C和500VDC下最小10K MΩ。
- 介质强度：最低额定WVDC的120%。
5. 功能详解：
- 该电容器具有典型的系列谐振频率与电容之间的关系、典型的等效串联电阻与电容之间的关系、典型的品质因数与电容之间的关系以及最大RMS电流与电容之间的关系。
6. 应用信息：
- 适用于RF功率放大器、感应加热、高磁场环境（如MRI线圈）、医疗和工业电子设备。
7. 封装信息：
- 提供了两种封装尺寸：HQCC和HQCE，具体尺寸包括长度、宽度和厚度。
