物料型号:2DD2150R
器件简介:该晶体管采用外延平面芯片结构,适合自动化装配流程,适用于中功率开关或放大应用。
引脚分配:SOT89-3L封装,引脚配置为1-发射极,2-基极,3-集电极。
参数特性:包括集电极-基极电压(VCBO) 40V,集电极-发射极电压(VCEO) 20V,发射极-基极电压(VEBO) 6V,峰值脉冲电流(ICM) 5A,连续集电极电流(Ilc) 3A等。
功能详解:文档提供了功率耗散、热阻、工作和存储温度范围、电气特性等详细信息。
应用信息:该器件符合AEC-Q101标准,适用于高可靠性应用。
封装信息:SOT89-3L封装,重量约为0.055克,尺寸和标记信息在文档中有详细说明。