物料型号:2N7002H
器件简介:
- 2N7002H是一款N-Channel MOSFET,具有低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容和快速开关速度。
- 它采用小型表面贴装封装,完全符合RoHS标准,无铅、无卤素、无锑,是一款“绿色”器件。
- 该器件适用于高效率的电源管理应用,如电机控制和电源管理功能。
引脚分配:
- 根据PDF中的“Terminal Connections”图示,引脚分配为D(漏极)、G(栅极)、S(源极)。
参数特性:
- 最大漏源电压(VDSS):60V
- 栅源电压(VGSS):连续脉冲-20V/+40V
- 最大漏极电流(ID):在25°C时为210mA,85°C时为150mA,100°C时为135mA
- 导通电阻(RDS(on)):在VGS=5V时,最大值为7.5Ω
- 栅极阈值电压(VGS(th)):2.0V至3.0V
功能详解:
- 该MOSFET设计用于最小化导通状态下的电阻,同时保持优越的开关性能。
应用信息:
- 适用于需要高效率电源管理的应用,如电机控制和电源管理功能。
封装信息:
- 封装类型:SOT23
- 封装材料:模塑塑料,绿色模塑料化合物,符合UL 94V-0的阻燃等级
- 湿度敏感度:按照J-STD-020标准为1级
- 端子:镀锡覆盖合金42引线框架,可按照MIL-STD-202方法208进行焊接