物料型号:2N7002K
器件简介:这款MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持优越的开关性能,非常适合高效率的电源管理应用。
引脚分配:SOT23封装,引脚从上到下依次为漏极(Drain)、栅极(Gate)、源极(Source)。
参数特性:
- 漏源电压(BVpss):60V
- 最大导通电阻(RoS(ON)):在Vas=10V时为2欧姆,在Vas=5V时为3欧姆
- 最大电流(Io Max TA=+25°C):在Vas=10V时为380mA,在Vas=5V时为310mA
功能详解:
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏
- 静电放电(ESD)保护高达2kV
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑的“绿色”器件
- 符合AEC-Q101标准的高可靠性
- PPAP能力
应用信息:
- 电机控制
- 电源管理功能
- 背光
封装信息:
- 标准型和汽车级产品均有提供,封装为SOT23,包装为3000/卷带或10000/卷带。