物料型号：AP22916
- 该型号是一个小尺寸、低漏电的单P沟道功率MOSFET，设计用于低功耗、负载开关应用。
器件简介：
- AP22916具有在5V下的典型导通电阻RDS(ON)为60mΩ，允许在低正向电压降下增加负载电流处理能力。
- 该器件具有多种电压响应时间选项，以支持不同系统负载条件。
- 负载开关的ON引脚可以通过外部低电压数字信号控制启用或禁用，适用于序列控制应用。
- ON引脚内置智能下拉功能，一旦使能电压高于VIH，将断开以避免功耗。
- 在关闭状态下，VIN和VOUT之间通过TRCB（真正反向电流阻断）功能实现隔离。
引脚分配：
- A（引脚1）：电压输出引脚，连接到P沟道MOSFET的漏极，通过0.1uF或1uF电容接地。
- B（引脚2）：电压输入引脚，连接到P沟道MOSFET的源极，通过1uF电容接地。
- C（引脚3）：地。
- D（引脚4）：使能输入。
参数特性：
- 宽输入电压范围：1.3V至5.5V。
- 低导通电阻：在不同电压下分别为150mΩ、100mΩ、70mΩ、60mΩ。
- 连续电流能力高达2A。
- 真正的反向电流阻断（TRCB）。
- 禁用时VOUT上的放电电阻。
- 超低静态电流：0.5µA。
- 活动高控制引脚，ON引脚的最小VIH为1.0V。
- ESD保护：人体模型2kV，带电设备模型1kV。
- 封装：X1-WLB0808-4，背面覆膜，0.78mm x 0.78mm，0.4mm球间距，完全无铅且符合RoHS标准。
功能详解：
- AP22916设计用于1.3V至5.5V的系统，典型静态供电电流仅为0.5µA。
- 具有快速和慢速两种版本的输出放电功能。
- 封装信息：X1WLB0808-4 0.78mm x 0.78mm x 0.455mm，0.4mm引脚间距。
- 操作温度范围：-40°C至+85°C。
应用信息：
- 移动设备和智能手机、便携式媒体设备、可穿戴设备、高级笔记本电脑、UMPC和MID、便携式医疗设备、GPS和导航设备。
封装信息：
- 封装类型：X1-WLB0808-4，尺寸为0.78mm x 0.78mm x 0.455mm，0.4mm球间距。
- 封装特点：完全无铅，符合RoHS标准，无卤素和锑，绿色设备。
