- 物料型号:BSS127
- 器件简介:新一代采用先进平面技术的N沟道增强型MOSFET,提供优越的高电压和快速开关特性,非常适合小信号和电平转换应用。
- 引脚分配:文档中提供了SC59和SOT23两种封装的顶视图,展示了漏极(Drain)、源极(Source)的引脚位置。
- 参数特性:包括600V的漏源电压(BVDss)、在VGs=10V时的导通电阻(RDS(ON))为160mΩ(TA= +25°C,Io=70mA条件下)。
- 功能详解:包括低输入电容、高BVDSS额定值、低输入/输出漏电等特性,完全无铅且符合RoHS标准,无卤素和锑的“绿色”设备。
- 应用信息:适用于电机控制、背光、DC-DC转换器、电源管理功能等。
- 封装信息:SC59和SOT23两种封装的详细尺寸和建议的焊盘布局。