物料型号: D3V3X4U10LP
器件简介:
- 该器件是一个4通道低电容TVS二极管阵列,专为保护高速I/O设计。
- 它具有超低通道输入电容(典型值0.45pF),高ESD浪涌能力,低ESD钳位电压。
引脚分配:
- 引脚1、2、4、5为I/O。
- 引脚6、7、9、10无连接。
- 引脚3、8为Vss(地)。
参数特性:
- 反向工作电压(VRWM):最大3.3V
- 反向电流(IR):最大1.0uA
- 反向击穿电压(VBR):最小5.5V,典型6.2V
- 正向钳位电压(VF):最小-1.0V,典型-0.85V
- 保持反向电压(VHOLD):1.3V
- 动态反向电阻(ROIF-R):0.3Ω
- 通道输入电容(CuO):0.45pF
功能详解:
- 提供4通道的ESD保护。
- 符合IEC6100-4-2和IEC61000-4-2的ESD标准,空气放电±8kV,接触放电±8kV。
- 符合IEC61000-4-5的浪涌标准,3A(8/20μs)。
应用信息:
- 通常用于高速端口,如USB 3.0、USB 3.1、SATA、DisplayPort等。
封装信息:
- 封装类型:U-DFN2510-10
- 重量:约0.038克
- 封装材料:模塑塑料,"绿色"封装化合物,UL阻燃等级94V-0
- 端子:铜引线框架上的NiPdAu(无铅镀层),符合MIL-STD-202方法208 e4的可焊性。
订购信息:
- 产品:D3V3X4U10LP-7
- 符合性:标准
- 标记:MU2
- 卷带尺寸(英寸)、胶带宽度(mm)、每卷数量等信息未提供。
注意事项:
- 完全符合RoHS指令,无故意添加的铅,无卤素和锑,是"绿色"产品。
- 有关封装细节,请访问Diodes公司网站。