物料型号:DGD0507A
器件简介:DGD0507A是一款能够驱动N沟道MOSFET的高频门驱动器,具有高达50V的浮动高压侧驱动能力,适用于半桥配置中驱动两个N沟道MOSFET。
引脚分配:DGD0507A采用W-DFN3030-10封装,共有10个引脚,包括Vcc(低压侧和逻辑电源)、NC(无连接)、VB(高压侧浮动电源)、HO(高压侧门驱动输出)、Vs(高压侧浮动电源返回)、EN(逻辑输入使能)、HIN(高压侧门驱动逻辑输入)、LIN(低压侧门驱动逻辑输入)、COM(低压侧和逻辑返回)和LO(低压侧门驱动输出)。
参数特性:DGD0507A具有1.5A源/2.0A汇输出电流能力,内置自举二极管,欠压锁定保护功能,典型传播延迟为20ns,逻辑输入兼容3.3V,具有超低待机电流(<1µA)和扩展温度范围(-40°C至+125°C)。
功能详解:DGD0507A设计用于提高开关频率,实现更小更紧凑的功率开关设计。内置自举二极管以最小化空间。器件还具有交叉导通防止逻辑,防止HO和LO输出同时导通。
应用信息:适用于DC-DC转换器、电机控制器、电池供电手持工具、电子烟设备和D类功率放大器等。
封装信息:DGD0507A采用W-DFN3030-10(Type TH)封装,封装材料为模塑塑料,符合UL 94V-0易燃性分类等级,湿度敏感度等级为3级。