物料型号:DGD2106M
器件简介:DGD2106M 是一款高电压/高速门驱动器,能够驱动 N-Channel MOSFETs 和 IGBTs,适用于高侧/低侧配置。
它支持高达 600V 的高侧开关电压,并兼容标准 TTL 和 CMOS 水平的逻辑输入。
引脚分配:共 8 个引脚,包括低侧和逻辑固定电源 Vcc、高侧门驱动输出 HO、低侧门驱动输出 LO 等。
参数特性:支持高达 600V 的高侧浮动供电电压,宽逻辑和低侧栅极驱动供电电压范围 10V 至 20V,-40°C 至 +125°C 的扩展温度范围。
功能详解:具有浮动高侧驱动器,可在 bootstrap 操作中升至 600V,驱动两个 N-Channel MOSFETs 或 IGBTs,具有欠压锁定功能。
应用信息:适用于 DC-DC 转换器、DC-AC 逆变器、AC-DC 电源、电机控制、Class D 功率放大器等。
封装信息:采用 SO-8 封装,尺寸和布局详见 Diodes 官方网站。
以上信息摘自 DGD2106M 的数据手册,提供了详细的产品规格和应用指南。