物料型号:DGD21904M
器件简介:
DGD21904是一款高电压/高速栅极驱动器,能够驱动半桥配置中的N沟道MOSFET和IGBT。它采用高电压处理技术,能够在高dV/dt条件下通过自举操作将高侧开关切换至600V。
引脚分配:
- HIN:高侧栅极驱动器输出的逻辑输入,与HO同步
- LIN:低侧栅极驱动器输出的逻辑输入,与LO同步
- Vss:逻辑地
- NC:无连接引脚
- COM:低侧和逻辑返回
- LO:低侧栅极驱动输出
- Vcc:低侧和逻辑固定电源
- Vs:高侧浮动电源返回
- HO:高侧栅极驱动输出
- VB:高侧浮动电源
参数特性:
- 浮动高侧驱动在自举操作中可达到600V
- 驱动两个N沟道MOSFET或IGBT在半桥配置中
- 输出驱动器典型值为4.5A/4.5A,可吸收/提供电流
- 逻辑输入(HIN和LIN)兼容3.3V标准TTL和CMOS电平
- 施密特触发器逻辑输入,内部下拉
- 高侧和低侧驱动器的欠压锁定
- 扩展温度范围:-40°C至+125°C
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
功能详解:
DGD21904具有高脉冲电流缓冲器设计,以最小化驱动器交叉导通。它还具有内部下拉的施密特触发器逻辑输入和欠压锁定功能,以确保高侧和低侧驱动器的稳定运行。
应用信息:
适用于DC-DC转换器、DC-AC逆变器、AC-DC电源、电机控制、Class D功率放大器等。
封装信息:
DGD21904采用SO-14封装,重量约为0.142克。封装材料为模塑塑料,符合UL 94V-0易燃性分类评级,湿度敏感度等级为J-STD-020标准的3级。