物料型号:DMG3414UQ
器件简介:这是一个N沟道增强型MOSFET,旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持优越的开关性能,非常适合高效率的电源管理应用。
引脚分配:SOT23封装,引脚从源极到漏极再到栅极。
参数特性:
- 漏源电压(BVDss):20V
- 最大导通电阻(RDS(ON) Max):在Vas = 4.5V时为25mΩ,在Vas = 2.5V时为29mΩ,在VGs = 1.8V时为37mΩ
- 最大电流(Io Max TA=+25°C):4.2A
功能详解:
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出漏电
- 完全无铅且完全符合RoHS指令(注1和注2)
- 无卤素和锑的“绿色”器件(注3)
应用信息:
- 适用于汽车应用,特别是需要特定变更控制的应用;该部件符合AEC-Q101标准,能够提供PPAP,并在IATF 16949认证的设施中生产。
- 符合MIL-STD-202标准,方法208的可焊性要求。
封装信息:
- 封装类型:SOT23
- 封装材料:模塑塑料,“绿色”模塑料。UL阻燃等级94V-0
- 订购信息:DMG3414UQ-7为3000/卷带包装,DMG3414UQ-13为10000/卷带包装。
注:
1. 没有特意添加铅,完全符合EU指令2002/95/EC(RoHS)、2011/65/EU(RoHS 2)和2015/863/EU(RoHS 3)。
2. 有关Diodes Incorporated对无卤素和锑的“绿色”和无铅定义的更多信息,请访问https://www.diodes.com/quality/lead-free/。
3. 无卤素和锑的“绿色”产品定义为溴含量小于900ppm,氯含量小于900ppm(总Br + Cl小于1500ppm)和锑化合物小于1000ppm。