1. 物料型号:
- DMN1019USN
2. 器件简介:
- DMN1019USN是一款N沟道功率MOSFET,适用于功率放大和开关应用。
3. 引脚分配:
- G(栅极):控制MOSFET的开关。
- D(漏极):电流流出的端点。
- S(源极):电流流入的端点。
4. 参数特性:
- VDS(漏源电压):30V
- ID(漏电流):4.2A(Tc=25℃时)
- RDS(on)(导通电阻):2.5Ω(最大值,VGS=10V时)
5. 功能详解:
- DMN1019USN具有低导通电阻和高开关速度,适用于需要高效率和快速响应的应用。
6. 应用信息:
- 适用于电源管理、电机控制、音频放大器等应用。
7. 封装信息:
- TO-252封装,具有较好的热性能和机械强度。