物料型号:DMN10H170SFG
器件简介:
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持优越的开关性能,适用于高效率的电源管理应用。
引脚分配:
- G:栅极
- D:漏极
- S:源极
参数特性:
- 漏源击穿电压(V(BR)DSS):100V
- 最大导通电阻(RDS(ON) max):在Ves=10V时为122mΩ,VGs=4.5V时为133mΩ
- 连续漏电流(Io max):TA=+25°C时为2.9A
功能详解:
- 100%无钳位感性开关(UIS)测试
- 低RDS(ON),确保导通状态下的损耗最小化
- 小型化、热效率封装,使最终产品占用更小的板面积
- 完全无铅且符合RoHS标准,不含卤素和锑的“绿色”器件
应用信息:
- 背光电源管理功能
- DC-DC转换器
封装信息:
- 封装类型:POWERDI3333
- 封装材料:模塑塑料,“绿色”封装化合物,UL阻燃等级94V-0
订购信息:
- 标准型号:DMN10H170SFG-7,包装:2000/卷带
- 标准型号:DMN10H170SFG-13,包装:3000/卷带
注意事项:
- 文档中提到的“绿色”产品指的是那些溴、氯和锑化合物含量低于特定标准的产品。
- 有关封装详细信息,请访问Diodes公司网站。
最大额定值、热特性和电气特性表格提供了详细的操作条件和性能参数。还包括了一些测试条件和保证设计但不进行产品测试的动态特性。
重要提示:
- Diodes Incorporated不提供任何明示或暗示的保证,并且对于文档或任何描述产品的使用或应用不承担任何责任。
- 未经Diodes Incorporated首席执行官的明确书面批准,其产品不得用作生命支持设备或系统的关键组件。