DMN10H220LFVW-7

物料型号：DMN10H220LFVW 器件简介：100V N-CHANNEL增强型MOSFET，旨在最小化导通电阻，同时保持优越的开关性能，非常适合高效能电源管理应用。

引脚分配：D（漏极）、G（栅极）、S（源极） 参数特性： - 漏源电压（VDS）：100V - 栅源电压（VGS）：20V - 导通电阻（RDS(ON)）：222mΩ（@VGs=10V），270mΩ（@VGs=4.5V） - 连续漏极电流（ID）：11A（@Tc=+25°C，Vas=10V），10A（@Tc=+25°C，Vas=4.5V） - 最大体二极管正向电流（IS）：11A - 脉冲漏极电流（IDM）：44A - 脉冲源极电流（ISM）：44A - 雪崩电流（IAS）：4.7A - 雪崩能量（EAS）：1.1mJ 功能详解：该MOSFET具有低导通电阻、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏电流等特点，并符合无铅和RoHS标准。

应用信息：适用于高效率电源管理应用，如负载开关等。

封装信息：采用PowerDI®3333-8封装，材料为模塑料，"绿色"模塑料化合物，UL可燃性等级94V-0，潮湿敏感性等级1（依据J-STD-020标准）。

封装重量约为0.072克。

以上是PDF文档中关于DMN10H220LFVW型号MOSFET的中文分析。