物料型号：DMN10H220LPDW
器件简介：100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET，旨在最小化导通电阻（RDS(ON)）同时保持优越的开关性能，适用于高效率电源管理应用。
引脚分配：D1, S1, G1, D2, G2, S2
参数特性：100V, 222mΩ @ VGS = 10V, 270mΩ @ VGS = 4.5V, 8.0A, 7.3A, 低导通电阻，低输入电容，快速开关速度，低输入/输出漏电，符合RoHS标准。
功能详解：用于高效率电源管理，如负载开关。
应用信息：适用于汽车应用，要求特定变更控制（如符合AEC-Q100/101/200标准，PPAP能力，IATF 16949认证设施制造）。
封装信息：PowerDI®5060-8，塑封，UL可燃性分类等级94V-0，潮湿敏感度等级1，终端连接指示见图示，镀锡铜引线框架，符合MIL-STD-202标准，重量约0.097克。
