物料型号：DMN2005UFGQ
器件简介：DMN2005UFGQ 是一个20V N-CHANNEL增强型MOSFET，采用PowerDI3333-8封装。
它具有低RDS(ON)，确保导通状态下的损耗最小化，适用于需要高效率和高密度集成的应用。
引脚分配：
- 引脚1：G（栅极Gate）
参数特性：
- 漏源电压（BVdss）：20V
- 栅源电压（VGSS）：±12V
- 连续漏极电流（Id）：在Vas=4.5V时为50A，在Vas=2.5V时为36A
- 脉冲漏极电流（Idm）：130A（10us脉冲，占空比1%）
- 最大连续体二极管正向电流（Is）：2.6A
- 雪崩电流（IAS）：23.9A
- 重复雪崩能量（EAS）：58.4mJ
功能详解：
- 该MOSFET具有100%无钳位感性开关能力，已通过生产测试，确保更可靠和稳健的最终应用。
- 完全符合RoHS标准，无铅且无卤素和锑，是一款“绿色”器件。
- 符合AEC-Q101标准，适用于高可靠性应用。
- 支持PPAP（生产部件批准过程）。
应用信息：
- 汽车应用
- 电机控制
- 负载开关
- DC-DC转换器
封装信息：
- 采用PowerDI3333-8封装，这种封装比SO-8节省了33%的板面积，有助于实现更小的最终产品尺寸。
- 封装材料为模塑塑料，“绿色”模塑料化合物，UL阻燃等级94V-0。
订购信息：
- 包装方式：2000/卷带或3000/卷带
- 订购型号包括DMN2005UFGQ-7和DMN2005UFGQ-13。
