物料型号：DMN2024U
器件简介：N沟道增强型MOSFET，旨在最小化导通电阻（RDS(ON)）同时保持优越的开关性能，适合高效率电源管理应用。
引脚分配：G（栅极），D（漏极），S（源极）
参数特性：
- 漏源电压（V(BR)DSS）：20V
- 最大导通电阻（RDS(ON) Max）：25mΩ @ VGs=4.5V，29mΩ @ Vas=2.5V
- 最大漏极电流（ID Max TA=+25°C）：6.8A @ VGs=4.5V，5.5A @ Vas=2.5V
功能详解：具有低导通电阻、低输入电容、快速开关速度、ESD保护门、无铅且完全符合RoHS标准的“绿色”器件。
应用信息：背光电源管理功能、DC-DC转换器、电机控制
封装信息：SOT23封装，塑封材料为“绿色”模塑料，UL阻燃分类等级94V-0，焊端处理为铜引线框架上覆盖的无光泽锡退火，符合MIL-STD-202方法208的可焊性。
封装重量约为0.009克。
