DMN2055U-13

物料型号：DMN2055U

器件简介： DMN2055U是一款N沟道增强型MOSFET，旨在降低导通电阻（RDS(ON)）的同时保持优越的开关性能，非常适合用于高效率的电源管理应用。

引脚分配： - SOT23封装的引脚连接图如下所示（从顶部视图）： - G（栅极） - S（源极） - D（漏极）

参数特性： - 漏极-源极电压（BVpss）：20V - 栅极-源极电压（VGss）：未明确标出，但通常为20V - 连续漏极电流（ID）：4.8A（TA=+25°C），3.8A（TA=+85°C） - 脉冲漏极电流（IOM）：25A（10us脉冲，占空比=1%） - 总功率耗散（Pp）：0.8W - 热阻，结到环境（ReJA）：113℃/W - 工作和存储温度范围（TJTSTG）：-55至+150℃

功能详解： - 低导通电阻 - 低输入电容 - 快速开关速度 - 低输入/输出漏电 - 完全无铅且符合RoHS指令 - 无卤素和锑的“绿色”器件

应用信息： - 通用接口开关 - 电源管理功能

封装信息： - 封装类型：SOT23 - 封装材料：模塑塑料，“绿色”模塑化合物 - 封装尺寸：请参考Diodes官网上的最新版本 - 建议的焊盘布局：C=2.0mm，X=0.8mm，X1=1.35mm，Y=0.9mm，Y1=2.9mm

请注意，文档中还包含了电气特性、热特性、典型输出特性、转移特性、导通电阻与温度变化关系、栅极阈值电压变化、总栅极电荷、结电容、安全工作区（SOA）和瞬态热阻等详细信息。