物料型号:DMN2058U
器件简介:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持优越的开关性能,适合高效率电源管理应用。
引脚分配:D(漏极)、G(栅极)、S(源极)
参数特性:BVpss=20V,RDS(ON)最大值为35mΩ@Vas=10V,ID最大值为4.6A
功能详解:低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏、完全无铅且符合RoHS标准、无卤素和锑的“绿色”器件。
应用信息:电池充电、电源管理功能、DC-DC转换器、便携式电源适配器。
封装信息:SOT23封装,塑封材料为“绿色”模塑料,UL阻燃等级94V-0,焊端处理为铜引线框架上覆盖无铅锡。
封装尺寸和典型值请参考官网。