物料型号:DMN2400UV
器件简介:
DMN2400UV 是一款新一代MOSFET,旨在降低导通电阻(RDS(ON))的同时保持优越的开关性能,适用于高效率的电源管理应用。
引脚分配:
- D1:漏极
- G:栅极
- S1:源极
- D2:漏极
- S2:源极
- G2:栅极
参数特性:
- 漏极-源极电压(BVpss):20V
- 栅极-源极电压(VGss):4.5V
- 导通电阻(RDS(ON)):典型值0.3到0.48欧姆
- 栅极阈值电压(VGS(TH)):0.5V到0.9V
- 输入电容(Ciss):36.0pF
- 输出电容(Coss):5.7pF
- 反向传输电容(Crss):4.2pF
- 栅极电阻(Rg):68欧姆
- 总栅极电荷(Qg):0.5nC
- 栅极-源极电荷(Qas):0.07nC
- 栅极-漏极电荷(Qad):0.1nC
功能详解:
- 低导通电阻:有助于减少功率损耗
- 低栅极阈值电压:简化驱动要求
- 低输入电容:提高开关速度
- 快速开关速度:减少开关损耗
- 低输入/输出漏电:提高系统效率
- ESD保护栅极:增强器件的可靠性
- 完全无铅和RoHS兼容:符合环保要求
应用信息:
- 电源管理功能
- 电池操作系统和固态继电器负载开关
封装信息:
- 封装类型:SOT563
- 封装材料:模塑塑料,“绿色”模塑化合物
- UL可燃性分类等级:94V-0
- 湿度敏感性:J-STD-020标准1级
- 端子连接:详见图示
- 端子:表面处理为铜上镀锡
- 引线框架:可焊性符合MIL-STD-202方法208
- 重量:约0.003克
有关DMN2400UV的更多详细信息和应用示例,请参阅Diodes Incorporated官方网站或联系当地的Diodes代表。