物料型号为 DMN2450UFB4,这是一款 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET。
器件简介指出其具有0.6mm²的小型封装,非常适合低高度应用,具有快速开关速度、低阈值电压和抗静电保护门。
引脚分配从顶视图和底视图可以确认,包括D(漏极)、G(栅极)、S(源极)和内部结构。
参数特性包括在25°C条件下最大漏源电压(BVDss)20V、最大漏源电阻(RDS(ON) Max)0.4欧姆@Vas=4.5V,最大电流(lo Max TA=+25°C)1.0A。
功能详解强调了其设计用于最小化导通电阻(RDS(ON))同时保持优越的开关性能,适合高效率电源管理应用。
应用信息中提到了作为负载开关使用,并描述了终端的详细信息。
封装信息中指出了使用X2-DFN1006-3封装,材料为模塑料,符合RoHS和无卤要求。