物料型号：DMN2990UFB
器件简介：20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET，具有低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏、超小型表面贴装封装、ESD保护门等特性。
引脚分配：S（源极）、G（栅极）、D（漏极）
参数特性：导通电阻（RDS(ON)）最大值为0.99欧姆（在VGs=4.5V时），最大漏极电流（ID Max）为0.78A（在TA= +25°C时）
功能详解：该MOSFET旨在最小化导通状态电阻（RDS(ON)）并保持优越的开关性能，适用于高效率电源管理应用。
应用信息：电池充电、电源管理功能、DC-DC转换器等。
封装信息：X1-DFN1006-3，封装材料为模塑塑料，“绿色”模塑化合物，UL可燃性分类等级94V-0。
湿气敏感度等级为1级，符合J-STD-020标准。
