DMN3009LFVQ-13

物料型号为 DMN3009LFVQ，这是一款30V N-CHANNEL增强型MOSFET，采用PowerDI3333-8 (Type UX)封装。

器件的主要特点包括低RDS(ON)、小尺寸、高热效率封装，适用于需要高密度端产品的应用。

引脚分配如下： - 1号引脚：S（源极） - 2号引脚：G（栅极） - 3、4、5、6、7、8号引脚：D（漏极）

参数特性包括： - 漏极-源极电压（VDS）：30V - 栅极-源极电压（VGS）：最大20V - 连续漏极电流（ID）：在不同VGS下分别为60A和50A - 脉冲漏极电流（IOM）：90A - 最大连续体二极管正向电流（IS）：60A - 雪崩电流（IAS）：33A - 雪崩能量（EAS）：58mJ

功能详解： - 该MOSFET设计用于满足汽车应用的严格要求，适用于AEC-Q101认证的汽车应用。

- 完全符合RoHS标准，无铅且无卤素和锑，是“绿色”器件。

- 适合用于背光、电源管理功能、DC-DC转换器等。

应用信息： - 该器件适合用于汽车应用，要求特定变更控制，AEC-Q101认证，PPAP能力，并在IATF 16949认证的设施中制造。

封装信息： - PowerDI3333-8 (Type UX)封装，尺寸和布局详细信息请访问Diodes公司的官方网站。

以上信息均来自提供的PDF文档，若需进一步了解，可访问Diodes公司官网或联系技术支持。