物料型号：DMN3018SFGQ
器件简介：30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET，低RDS(ON)，适用于需要特定变更控制的汽车应用。
引脚分配：S（源极）、G（栅极）、D（漏极）、内部包含栅极保护二极管。
参数特性：在+25°C时，VGS=10V下RDS(ON)最大为21mΩ，ID最大为8.5A；VGS=4.5V下RDS(ON)最大为35mΩ，ID最大为6.6A。
功能详解：具有低导通电阻、小尺寸、高热效率封装、静电保护门、完全无铅及符合RoHS标准。
应用信息：背光、电源管理功能、DC-DC转换器。
封装信息：PowerDI®3333-8，封装材料为模塑料，“绿色”模塑料化合物，UL阻燃分类等级94V-0。
