物料型号:
- 型号:DMN33D9LV
器件简介:
- 这是一个N沟道增强型MOSFET,旨在最小化导通电阻(RDS(ON))的同时保持优越的开关性能,非常适合高效率的电源管理应用。
引脚分配:
- SOT563封装,引脚包括D1, D2(漏极),G2(栅极),S1, S2(源极)。
参数特性:
- 最大漏源电压(BVpss):30V
- 最大导通电阻(RDS(ON) max):在Vgs=4.5V时为3mΩ,Vgs=2.5V时为7mΩ
- 最大输入电容(Ciss):48pF
- 栅极阈值电压(VGS(TH)):0.8V至1.4V
- 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):在Vas=10V, Ip=250mA时为0.2mΩ至2.4mΩ
- 快速开关速度
功能详解:
- 低导通电阻、低输入电容、快速开关速度、ESD保护栅极、无铅且完全符合RoHS指令、无卤素和锑的“绿色”器件。
应用信息:
- 电机控制、电源管理功能、DC-DC转换器、背光。
封装信息:
- 封装类型:SOT563
- 封装材料:模塑塑料,“绿色”模塑料化合物,符合UL 94V-0可燃性分类等级。
订购信息:
- 卷带尺寸、胶带宽度以及每卷数量等详细信息。