DMN3401LDWQ-13

数据手册：

DMN3401LDWQ-13 数据手册

DMN3401LDWQ-13

物料型号为DMN3401LDWQ，是一款双N沟道增强型MOSFET，适用于汽车应用，符合AEC-Q101标准。

具有低导通电阻、低输入电容和快速开关速度等特点。

引脚分配如下： - G1和G2是两个N沟道的栅极。

- S1和S2是源极。

- D1和D2是漏极。

参数特性包括： - 漏源电压（BVDSS）最大为30V。

- 栅源电压（VGS）最大为10V。

- 连续漏电流（ID max）最大为0.8A。

- 导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V时最大为0.4Ω，在VGS=4.5V时为0.7Ω。

功能详解涉及： - 低导通电阻有助于减少功率损耗。

- 低输入电容和快速开关速度有助于提高效率和响应速度。

- ESD保护门确保了设备的可靠性。

应用信息包括： - 电机控制。

- 电源管理功能。

- DC-DC转换器。

封装信息为SOT363，使用绿色模具化合物，符合RoHS标准，无卤素和锑。

以上信息摘自Diodes公司2020年9月发布的数据手册。

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