物料型号:DMN5L06TK
器件简介:该器件是N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,即N沟道增强型场效应晶体管。
引脚分配:文档中的Top View图示显示了Drain(漏极)、Gate(栅极)和Source(源极)的引脚分配。
参数特性:
- 漏源电压最大值:Voss = 50V
- 栅源电压最大值:VGss = +20V
- 漏源电流连续值:280mA
功能详解:该器件具有低导通电阻、低阈值电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出漏电、无铅表面处理且符合RoHS指令等特点。
应用信息:该器件符合AEC-Q101标准,适用于高可靠性应用,并且是静电放电保护的,耐受高达2kV的ESD。
封装信息:采用SOT523封装,材料为模塑塑料,具有“绿色”模具化合物,符合UL的可燃性分类等级94V-0。
订购信息:DMN5L06TK-7,SOT523封装,3000/卷带包装。
注意事项:文档中提供了有关RoHS合规性、卤素和锑的“绿色”设备定义、以及包装细节的更多信息链接。