物料型号:DMN601VK
器件简介:
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏
- 超小型表面贴装封装
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑的“绿色”器件
引脚分配:SOT563封装,具体引脚分配见内部原理图
参数特性:
- 最大额定值(例如漏源电压、栅源电压、连续漏电流)
- 热特性(如总功率耗散、结到环境的热阻)
- 电气特性(如关闭特性的漏源击穿电压、栅极电流,开启特性的栅极阈值电压、静态漏源导通电阻、正向传输导纳、二极管正向电压)
功能详解:
- 提供了典型输出特性、转移特性、静态漏源导通电阻与漏电流、栅源电压的关系图
- 还包括了正向传输导纳与漏电流的关系图
应用信息:
- 汽车兼容部件在单独的数据手册中提供(型号:DMN601VKQ)
封装信息:
- 提供了SOT563封装的尺寸和建议的焊盘布局信息