物料型号：DMN61D9UW
器件简介：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET，低导通电阻，快速开关速度，低输入/输出漏电，ESD保护高达2kV，完全无铅且符合RoHS标准。
引脚分配：SOT323封装，引脚1-源极，引脚2-栅极，引脚3-漏极。
参数特性：漏源电压(V(BR)DSS)最大60V，导通电阻(RDS(ON) max)在Vas=5.0V时最大20mΩ，最大漏极电流(lo max TA=+25°C)340mA。
功能详解：该MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON))，同时保持优越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
应用信息：电机控制、电源管理功能、背光。
封装信息：SOT323封装，塑封材料为“绿色”模塑料，UL阻燃等级94V-0，潮湿敏感度等级1，终端采用42合金框架，锡覆盖退火处理。
请注意，DMN61D9UW型号已不推荐用于新设计，建议使用DMN62D2UW替代型号。
