物料型号:DMN65D9L
器件简介:这是一个N沟道增强型MOSFET,设计用于在保持优越的开关性能的同时最小化导通电阻(RDS(ON)),非常适合高效率的电源管理应用。
引脚分配:文档中提供了顶视图和等效电路图,但未明确列出每个引脚的功能。通常,SOT23封装的MOSFET有三个引脚:源极(S)、栅极(G)和漏极(D)。
参数特性:
- 漏源电压(BVDSS):60V
- 最大导通电阻(RDS(ON) Max):4.0Ω @ VGS = 10V
- 最大漏极电流(ID Max):335mA
功能详解:
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出漏电
- ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
应用信息:
- 电机控制
- 电源管理功能
- 背光照明
封装信息:SOT23,有3000/卷带和10000/卷带两种包装方式。