物料型号:DMNH10H028SCT
器件简介:100V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,适用于高温环境,具有100%无钳位感性开关能力,低输入电容,低输入/输出漏电。
引脚分配:在TO220AB封装中,引脚分配为D(漏极)、G(栅极)、S(源极)。
参数特性:
- 漏源电压(BVpss):100V
- 最大连续漏源电流(IoM):60A
- 最大栅源电压(VGSS):20V
- 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):最大28mΩ
- 工作和存储温度范围:-55°C 至 +175°C
功能详解:
- 该MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性,适用于高效率的电源管理应用。
- 符合RoHS标准,无铅表面处理,符合AEC-Q101高可靠性标准。
应用信息:
- 适用于电机控制、背光、DC-DC转换器和电源管理功能。
封装信息:
- 封装类型:TO220AB
- 封装材料:模塑塑料,绿色模塑料,UL阻燃等级94V-0
- 端子:镀锡铜框架,可焊接性符合MIL-STD-202标准
- 重量:TO220AB约1.85克