1. 物料型号:DMNH6042SPD
2. 器件简介:新一代MOSFET,旨在最小化导通电阻RDS(ON),同时保持优越的开关性能,适合高效率电源管理应用。
3. 引脚分配:文档提供了引脚分配图和等效电路图,展示了D1, D2, S1, G1, S2, G2等引脚的布局。
4. 参数特性:
- 漏源电压(BVDss):60V
- 最大导通电阻(RDS(ON) max):50mΩ @ VGs=10V,65mΩ @ VGs=4.5V
- 最大漏极电流(lp max):24A @ Tc=+25°C
- 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
5. 功能详解:包括器件的特性描述、应用场景、额定值、热特性和电气特性。
6. 应用信息:适用于发动机管理系统、车身控制电子、DC-DC转换器等。
7. 封装信息:封装类型为PowerDI5060-8 (Type C),材料为模塑料,符合UL 94V-0可燃性分类等级。
8. 订购信息:提供了订购型号、封装类型和包装信息。