DMNH6042SPSQ-13

物料型号：DMNH6042SPSQ

器件简介：这是一个60V N-CHANNEL增强型MOSFET，适用于高温环境，额定工作温度高达+175°C。

引脚分配：文档中提供了顶视图和底视图，展示了引脚配置，包括漏极(D)、源极(S)和栅极(G)。

参数特性： - 漏源电压(BVpss)：60V - 栅源电压(VGsS)：未明确列出，但通常为20V以下 - 连续漏源电流：在Vas=10V时为24A，在Vas=4.5V时为21A - 脉冲漏源电流(IDM)：35A（10μs脉冲，占空比1%） - 最大连续体二极管正向电流(Is)：24A - 雪崩电流(IAS)：3.5A - 雪崩能量(EAS)：65mJ

功能详解： - 100%无钳位感性开关，确保更可靠和健壮的最终应用 - 低RDS(ON)，最小化功率损耗 - 低Qg，最小化开关损耗 - 符合AEC-Q101标准，PPAP能力，制造于IATF 16949认证的设施中 - 无铅表面处理，符合RoHS指令

应用信息： - 适用于汽车应用，如发动机管理系统、车身控制电子、DC-DC转换器等。

封装信息： - 封装类型：PowerDI®5060-8 - 封装材料：模塑塑料，"绿色"模塑料 - UL阻燃等级：94V-0 - 湿度敏感性等级：J-STD-020标准下的1级 - 重量：约0.097克