DMNH6065SPDWQ-13

数据手册：

DMNH6065SPDWQ-13 数据手册

DMNH6065SPDWQ-13

物料型号：DMNH6065SPDWQ 器件简介：60V 175°C 双N沟道增强型MOSFET，适用于高温环境，具有低输入电容和无卤素封装。

引脚分配：D1-D2为漏极，G1-G2为栅极，S1-S2为源极。

参数特性：漏源电压60V，最大漏源电流27A，最大导通电阻65mΩ@VGs=10V，符合AEC-Q101标准。

功能详解：适用于汽车应用，具有100%无钳位感应开关(UIS)测试，低输入电容，符合RoHS标准。

应用信息：适用于背光、电源管理功能、DC-DC转换器等。

封装信息：PowerDI®5060-8，无铅、符合RoHS标准的绿色封装材料。

以上信息摘自DIODES公司提供的PDF数据手册。

DMNH6065SPDWQ-13 价格&库存

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